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Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics TC
= 25
°C unless otherwise noted
Off State Characteristics
On State Characteristics
Dynamic Characteristics
Switching Characteristics
Thermal Characteristics
Top Mark
Part Number
Package
Tape Width
Quantity
R18120G2
ISL9R18120G2
TO-247
N/A
30
R18120P2
ISL9R18120P2
TO-220AC
N/A
50
R18120S3
ISL9R18120S3S
TO-263AB
24mm
800
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
IR
Instantaneous Reverse Current
VR
= 1200
V
TC
= 25
°C - - 100 μA
TC
= 125
°C--1.0mA
VF
Instantaneous Forward Voltage
IF = 18
A
TC
= 25
°C-2.73.3V
TC
= 125
°C-2.53.1V
CJ
Junction Capacitance
VR = 10
V,
I
F
= 0
A
- 69 - pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 1
A,
dI
F/dt
=
100
A/μs,
V
R
= 30
V
- 38 45 ns
IF
= 18
A,
dI
F/dt
=
100
A/μs,
V
R
= 30
V
-
60 70 ns
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 18
A,
dIF/dt
= 200
A/μs,
VR
= 780
V,
T
C
= 25°C
- 300 - ns
Irr
Reverse Recovery
C
urrent
- 6.5 - A
Qrr
Reverse Recovered Charge
- 950 - nC
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 18
A,
)-dIF/dt
= 200
A/μs,
7.0--
C
urrent
VR
= 780
V,
- 8.0 - A
TC
= 125°C
- 400 - ns
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Reverse Recovery
Qrr
Reverse Recovered Charge
- 2.0 - μC
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 18
A,
)-dIF/dt
= 1000
A/μs,
5.2--
C
urrent
VR
= 780
V,
- 22 - A
TC
= 125°C
- 235 - ns
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Reverse Recovery
Qrr
Reverse Recovered Charge
- 2.1 - μC
dIM/dt Maximum di/dt during tb
- 370 - A/μs
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case TO-247, TO-220, TO-263
- - 1.0
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247
- - 30
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-263
- - 62
°C/W
ISL9R18120G2
,
ISL9R18120P2
,
I
SL9R18120S3S
— STEALTH? Diode
?2002
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9R18120G2, ISL9R18120P2,
ISL9R18120S3S
Rev.
C2
www.fairchildsemi.com
2
Packing Mathod
Tube
Tube
Reel
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